Gestapeltes Halbleiterbauelement mit einer mit einem Prozessor Versehenen Halbleiterstruktur, die mit einer mit einem Dynamischen Direktzugriffsspeicher Versehenen Halbleiterstruktur Gebondet Ist und Verfahren zu dessen Herstellung
EP3891785
Art B1
2. Juli 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3891785
- Aktenzeichen
- EP19924773
- Anmeldetag
- 11. September 2019
- Veröffentlichung
- 2. Juli 2025
- Erteilung
- 2. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/18H01L25/065H01L21/98H01L23/485H01L21/60G11C5/02G11C11/00// H10B10/00H10B12/00H10B43/40H10B69/00H01L21/78H01L23/48H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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