Verbundene Vereinheitlichte Halbleiterchips und Verfahren zu deren Herstellung und Betrieb

EP3891788 Art B1 23. Oktober 2024

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3891788
Aktenzeichen
EP19927312
Anmeldetag
24. Juli 2019
Veröffentlichung
23. Oktober 2024
Erteilung
23. Oktober 2024
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/18H01L21/98H01L23/485H01L21/60G11C11/00G11C11/401G11C11/56G11C16/04H01L21/18H01L21/822H01L23/31H10B12/00H10B41/27H10B41/40H10B43/27H10B43/40H01L27/06// H01L21/20G11C13/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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