Gebondete Halbleiterbauelemente mit Prozessor und Nand-Flash-Speicher und Verfahren zu deren Herstellung

EP3891798 Art B1 5. März 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3891798
Aktenzeichen
EP19927108
Anmeldetag
11. September 2019
Veröffentlichung
5. März 2025
Erteilung
5. März 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/18G06F15/78G11C11/00G11C11/401G11C16/04H01L23/31H01L25/00H01L27/06G11C11/56G11C13/00H01L21/20H01L21/822H10B10/00H10B12/00H10B41/27H10B41/40H10B43/27H10B43/40H10B63/00H10N70/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

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