Einheitliche Halbleiterbauelemente mit Prozessor und Heterogenen Speichern und Verfahren zu deren Herstellung

EP3891806 Art A1 13. Oktober 2021

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3891806
Aktenzeichen
EP19924862
Anmeldetag
11. September 2019
Veröffentlichung
13. Oktober 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/18H01L25/065H01L25/00// H01L23/00H01L21/78H01L23/48H10B10/00H10B12/00H10B43/40H10B43/27
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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