Dreidimensionale Speichervorrichtungen mit einer Architektur einer Erhöhten Anzahl von Bitleitungen
EP3891809
Art B1
25. Juni 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3891809
- Aktenzeichen
- EP19918166
- Anmeldetag
- 1. März 2019
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2025
- Erteilung
- 25. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/18H10B41/27H10B41/10H10B43/10H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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