Dreidimensionale Speichervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP3895214
Art B1
10. April 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3895214
- Aktenzeichen
- EP19945548
- Anmeldetag
- 20. September 2019
- Veröffentlichung
- 10. April 2024
- Erteilung
- 10. April 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/764H01L21/28H10B43/27
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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