Speicher und Adressierungsverfahren dafür

EP3896693 Art B1 25. Oktober 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3896693
Aktenzeichen
EP19947164
Anmeldetag
27. November 2019
Veröffentlichung
25. Oktober 2023
Erteilung
25. Oktober 2023
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/24G11C11/408G11C11/4063G11C8/06G11C29/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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