Verfahren zum Schreiben in einen Nichtflüchtigen Speicher in Abhängigkeit von der Alterung der Speicherzellen und Entsprechender Integrierter Schaltkreis
EP3896695
Art B1
13. März 2024
Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS, STMicroelectronics S.r.l. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3896695
- Aktenzeichen
- EP21167345
- Anmeldetag
- 8. April 2021
- Veröffentlichung
- 13. März 2024
- Erteilung
- 13. März 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/04G11C16/16G11C16/34G11C16/10G11C16/30
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- STMicroelectronics (Rousset) SAS
STMicroelectronics S.r.l. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
STMicroelectronics (Rousset)
Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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🇮🇹
STMicroelectronics Italy
Italienische Konzerngesellschaft des schweizerisch-französischen Halbleiterherstellers STMicroelectronics. Entwickelt und fertigt Halbleiterkomponenten für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.
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