Halbleitergehäusebauteil, Basissubstrat für Rf-Transistor und Herstellungsverfahren dafür

EP3896733 Art A1 20. Oktober 2021

Anmelder: Amosense Co., Ltd 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3896733
Aktenzeichen
EP19895728
Anmeldetag
29. November 2019
Veröffentlichung
20. Oktober 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/66H01L23/13H01L23/14H01L23/373H01L23/498H01L23/00H01L29/66H01L23/047// H03F3/189
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Amosense Co., Ltd
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 Amosense

Amosense ist ein südkoreanischer Hersteller elektronischer Bauelemente mit Wurzeln im Samsung-Konzernumfeld. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Elektronik- und Energietechnik, ergänzt durch Telekommunikation. Die Anmeldungen von 2001 bis 2025 betreffen unter anderem piezoelektrische Bauelemente und Lautsprecher.

298 Patente in unserer Datenbank

Kanzlei
Schoppe, Zimmermann, Stöckeler München, Deutschland

Schoppe, Zimmermann, Stöckeler, Zinkler, Schenk & Partner mbB berät von München aus Unternehmen und Forschungseinrichtungen aus aller Welt, mit technischem Schwerpunkt auf Audio- und Videokodierung, Mobilfunk, künstlicher Intelligenz und Halbleitertechnik.

11.477
Patente gesamt
9
Patentanwälte
1
Standorte

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen