Halbleitergehäusebauteil, Basissubstrat für Rf-Transistor und Herstellungsverfahren dafür
Anmelder: Amosense Co., Ltd 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3896733
- Aktenzeichen
- EP19895728
- Anmeldetag
- 29. November 2019
- Veröffentlichung
- 20. Oktober 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/66H01L23/13H01L23/14H01L23/373H01L23/498H01L23/00H01L29/66H01L23/047// H03F3/189
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Amosense Co., Ltd
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
Amosense ist ein südkoreanischer Hersteller elektronischer Bauelemente mit Wurzeln im Samsung-Konzernumfeld. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und elektrische Bauelemente sowie Elektronik- und Energietechnik, ergänzt durch Telekommunikation. Die Anmeldungen von 2001 bis 2025 betreffen unter anderem piezoelektrische Bauelemente und Lautsprecher.
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