Verfahren zur Herstellung eines Gehäusesubstrats zur Montage von Halbleiterelementen
EP3897082
Art A1
20. Oktober 2021
Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3897082
- Aktenzeichen
- EP19896021
- Anmeldetag
- 21. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 20. Oktober 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H05K3/06H05K3/42H01L21/48H01L23/498H05K3/00H05K3/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Gas Chemical Company
Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.
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Vertreten von
-
Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München