Verfahren zur Herstellung eines Gehäusesubstrats zur Montage eines Halbleiterelements

EP3897083 Art A1 20. Oktober 2021

Anmelder: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3897083
Aktenzeichen: EP19896496
Anmeldetag: 21. Oktober 2019
Veröffentlichung: 20. Oktober 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H05K3/46H01L23/12H05K3/00H01L21/48H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Mitsubishi Gas Chemical Company

Japanisches Chemieunternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Fokus auf technische Kunststoffe, Methanol und Spezialchemikalien. Der Konzern beliefert unter anderem die Elektronik- und Verpackungsindustrie.

1.434 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von