Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung mit einer sich über einen Hohlraum Erstreckenden Membran
EP3898503
Art B1
8. Oktober 2025
Anmelder: SOITEC 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3898503
- Aktenzeichen
- EP19842391
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 8. Oktober 2025
- Erteilung
- 8. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- B81C1/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOITEC
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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