Verfahren zur Herstellung eines Wachstumssubstrats

EP3900017 Art B1 26. Oktober 2022

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3900017
Aktenzeichen: EP19835459
Anmeldetag: 29. November 2019
Veröffentlichung: 26. Oktober 2022
Erteilung: 26. Oktober 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/18H01L21/762H01L33/00H01L33/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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