Substrat vom Halbleiter-Auf-Isolatortyp für Hochfrequenzanwendungen

EP3900029 Art A1 27. Oktober 2021

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3900029
Aktenzeichen: EP19848883
Anmeldetag: 19. Dezember 2019
Veröffentlichung: 27. Oktober 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/20H01L21/322

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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