Dreidimensionales Speicherarray
EP3900044
Art B1
28. Januar 2026
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3900044
- Aktenzeichen
- EP19899581
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 28. Januar 2026
- Erteilung
- 28. Januar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B63/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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