Verfahren zum Übertragen einer Oberflächenschicht auf Hohlräume

EP3900064 Art B1 3. Mai 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3900064
Aktenzeichen: EP19842811
Anmeldetag: 12. Dezember 2019
Veröffentlichung: 3. Mai 2023
Erteilung: 3. Mai 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H10N30/072

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

801 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von