Verfahren zur Herstellung eines Substrats für einen Vorderseitigen Bildsensor

EP3903341 Art B1 18. Januar 2023

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3903341
Aktenzeichen: EP19848983
Anmeldetag: 23. Dezember 2019
Veröffentlichung: 18. Januar 2023
Erteilung: 18. Januar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/322H01L21/265

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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