Halbleiterstruktur für Digitale und Hochfrequente Anwendungen und Verfahren zur Herstellung einer Solchen Struktur
EP3903342
Art B1
15. März 2023
Anmelder: SOITEC 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3903342
- Aktenzeichen
- EP19850729
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 15. März 2023
- Erteilung
- 15. März 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/762H01L27/12H01L21/84H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SOITEC
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
Soitec
Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.
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