Systeme und Verfahren für Integrierte Dioden-Feldeffekttransistor-Halbleiterbauelemente
EP3903351
Art A1
3. November 2021
Anmelder: General Electric Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3903351
- Aktenzeichen
- EP19903479
- Anmeldetag
- 26. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 3. November 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/66H01L29/45H01L29/47H01L29/06// H01L29/872
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- General Electric Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
General Electric
US-amerikanischer Technologiekonzern mit Sitz in Massachusetts. Historisch aktiv in Energieerzeugung, Luftfahrttriebwerken, Medizintechnik und Industrietechnik über verschiedene Geschäftsbereiche.
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Kanzlei
Meissner Bolte Patentanwälte
Bremen, Deutschland
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