Graphitdünnschicht-/siliciumsubstratlaminat, Verfahren zur Herstellung davon und Substrat für Elektronische Vorrichtungen mit Hoher Abgaswärme

EP3905305 Art A1 3. November 2021

Anmelder: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3905305
Aktenzeichen: EP19905801
Anmeldetag: 25. Dezember 2019
Veröffentlichung: 3. November 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02B32B9/00C01B32/21C30B29/06H01L23/373

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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