Leistungshalbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP3905334
Art B1
2. April 2025
Anmelder: Southeast University, CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3905334
- Aktenzeichen
- EP19904844
- Anmeldetag
- 23. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 2. April 2025
- Erteilung
- 2. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/10H01L29/78H01L21/336H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Southeast University
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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