Gruppe-Iii-Nitrid-Basierte Transistorvorrichtung

EP3905335 Art A1 3. November 2021

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3905335
Aktenzeichen: EP20171930
Anmeldetag: 28. April 2020
Veröffentlichung: 3. November 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/20H01L29/40H01L29/778

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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