Heteroübergangshalbleiterbauelement mit Niedrigem Einschaltwiderstand
EP3905339
Art A1
3. November 2021
Anmelder: Southeast University, CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3905339
- Aktenzeichen
- EP19904187
- Anmeldetag
- 19. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 3. November 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/06// H01L29/10H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Southeast University
CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. - Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Southeast University
Chinesische Universität mit Sitz in Nanjing, Schwerpunkt auf Ingenieur- und Technikwissenschaften.
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