Markierungsmuster zur Bildung einer Treppenstruktur einer Dreidimensionalen Speichervorrichtung
EP3909078
Art B1
22. Januar 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3909078
- Aktenzeichen
- EP19934520
- Anmeldetag
- 27. Juni 2019
- Veröffentlichung
- 22. Januar 2025
- Erteilung
- 22. Januar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/50H10B41/50H01L21/311// H10B43/10H10B41/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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