Optoelektronische Halbleiteranordnung mit einer P-Injektionsschicht auf der Basis von Ingan

EP3909083 Art A1 17. November 2021

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3909083
Aktenzeichen: EP19828788
Anmeldetag: 26. Dezember 2019
Veröffentlichung: 17. November 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0352H01S5/042H01L33/04H01L33/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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