Herstellungsverfahren für eine Dram-Einheit mit Kondensatoren
EP3910670
Art B1
13. November 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3910670
- Aktenzeichen
- EP20795473
- Anmeldetag
- 22. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 13. November 2024
- Erteilung
- 13. November 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10N97/00H01L23/64H01L21/027H01L21/311H10B12/00// H01L21/3215
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Gulde & Partner · Berlin
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V.O
V.O · Den Haag