Verfahren und Vorrichtung zur Überprüfung eines Speichers

EP3913632 Art B1 3. Januar 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3913632
Aktenzeichen
EP20918133
Anmeldetag
10. September 2020
Veröffentlichung
3. Januar 2024
Erteilung
3. Januar 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/14G11C29/12G11C29/44G11C29/48G11C29/56// G11C29/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

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