Vertikales Halbleiterbauelement mit einer Lateralen Anordnung von Gates und Feldplatten und Verfahren zur Herstellung davon

EP3913684 Art A1 24. November 2021

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3913684
Aktenzeichen
EP20175849
Anmeldetag
20. Mai 2020
Veröffentlichung
24. November 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/06H01L29/40H01L29/423H01L29/739H01L29/78
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Infineon Technologies Austria AG
Land
🇦🇹 Österreich
🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

680 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen