Heteroübergang-Phototransistor mit einer Avalanche-Schicht

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP3920244

Aktenzeichen

EP21177706

Anmeldetag

4. Juni 2021

Veröffentlichung

4. Januar 2023

Erteilung

4. Januar 2023

Rechtsraum

EP

IPC

H01L31/107H01L31/11H01L31/112

Abstract

Phototransistor à hétérojonction à avalanche (HAPT) comprenant un empilement de couches semi-conductrices au-dessus d'un substrat (S) comprenant un ensemble de couches semi-conductries successives (Ens), disposé entre la couche collectrice et la couche de base comprenant :-une couche supérieure de l'ensemble dite couche graduelle (Grad) dopée N;- une couche disposée en dessous de la couche graduelle, dite couche de charge écran (Ecr) dopée P+ ;- une couche disposée en dessous de la couche écran, présentant un même matériau que la couche écran, dite couche d'avalanche (Av), non dopée ;- une couche disposée en dessous de la couche d'avalanche, présentant un même matériau que la couche écran, dite couche d'injection (Inj) dopée N+, présentant une épaisseur au moins 10 fois inférieure à une épaisseur de ladite couche d'avalanche.

Anmelder

Firma

THALES

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete