Dreidimensionale Speichervorrichtung mit Rückseitigem Source-Kontakt
EP3921869
Art B1
12. Juni 2024
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3921869
- Aktenzeichen
- EP20922503
- Anmeldetag
- 14. April 2020
- Veröffentlichung
- 12. Juni 2024
- Erteilung
- 12. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B41/27H10B41/40H10B41/50H10B43/27H10B43/40H10B43/50H01L27/06// H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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