Integrierte Schaltungsstruktur und Speicher

EP3923285 Art B1 14. Juni 2023

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3923285
Aktenzeichen: EP20914624
Anmeldetag: 28. Juni 2020
Veröffentlichung: 14. Juni 2023
Erteilung: 14. Juni 2023
Rechtsraum: EP
IPC: G11C5/02G11C7/10G11C11/4093G11C5/06G11C5/04G11C7/02G11C7/04G11C7/22

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Changxin Memory Technologies, Inc.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

Vertreten von

V.O
V.O · Den Haag

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen