Leseoperationsschaltung, Halbleiterspeicher und Leseoperationsverfahren
EP3926630
Art B1
7. Juni 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3926630
- Aktenzeichen
- EP20878147
- Anmeldetag
- 22. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 7. Juni 2023
- Erteilung
- 7. Juni 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/409G11C7/02G11C7/10G11C11/4076G11C11/4096G11C11/4093
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
2.637 Patente in unserer Datenbank