Leseoperationsschaltung, Halbleiterspeicher und Leseoperationsverfahren

EP3926633 Art A1 22. Dezember 2021

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3926633
Aktenzeichen
EP20879580
Anmeldetag
22. Juni 2020
Veröffentlichung
22. Dezember 2021
Rechtsraum
EP
IPC
G11C7/10G11C11/409G11C11/4096G11C11/4093H03M9/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Elektronik & Schaltungstechnik

Vertreten von

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