Schaltung für eine Speichereinheit mit Schmelzsicherung, Array-Schaltung sowie ein Lese-/schreibverfahren dafür
EP3926634
Art B1
19. Juni 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3926634
- Aktenzeichen
- EP20869974
- Anmeldetag
- 22. Februar 2020
- Veröffentlichung
- 19. Juni 2024
- Erteilung
- 19. Juni 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C17/16G11C17/18
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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