Speicherprüfungsverfahren und Zugehörige Vorrichtung

EP3926635 Art A1 22. Dezember 2021

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3926635
Aktenzeichen
EP20923694
Anmeldetag
15. Oktober 2020
Veröffentlichung
22. Dezember 2021
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/56G11C29/00G11C29/12G11C29/44// G11C5/02G11C29/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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