Kontaktstrukturen für einen Dreidimensionalen Speicher
EP3928351
Art B1
26. Februar 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3928351
- Aktenzeichen
- EP20924240
- Anmeldetag
- 13. März 2020
- Veröffentlichung
- 26. Februar 2025
- Erteilung
- 26. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/10H10B43/27H10B43/50// H01L21/768
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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