Dreidimensionale Speichervorrichtung mit Dreidimensionalem Phasenwechselspeicher

EP3928353 Art B1 8. November 2023

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3928353
Aktenzeichen
EP19927061
Anmeldetag
11. September 2019
Veröffentlichung
8. November 2023
Erteilung
8. November 2023
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/18H01L21/98H01L21/60H01L23/485H01L27/06G11C13/00H10B43/40G11C16/04G11C11/00G11C11/56G11C11/40H01L23/31H10B63/10H10N70/20H10B12/00G11C11/401H10B63/00
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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