Halbleiterbauelement mit Trench-Gate-Struktur und Eingelassener Abschirmungsregion und Verfahren zur Herstellung

EP3930006 Art A1 29. Dezember 2021

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3930006
Aktenzeichen: EP20182004
Anmeldetag: 24. Juni 2020
Veröffentlichung: 29. Dezember 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/06H01L29/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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