Lese-Schreib-Verfahren und Speichervorrichtung

EP3933567 Art B1 9. Oktober 2024

Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3933567
Aktenzeichen
EP20926376
Anmeldetag
20. November 2020
Veröffentlichung
9. Oktober 2024
Erteilung
9. Oktober 2024
Rechtsraum
EP
IPC
G11C29/44G06F3/06G11C29/42G11C29/52G11C29/18G11C29/04
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Changxin Memory Technologies, Inc.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Changxin Memory Technologies

Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.

2.637 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

Vertreten von

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