Speicherblock und Speicher
EP3933839
Art B1
10. Januar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3933839
- Aktenzeichen
- EP21773437
- Anmeldetag
- 27. Januar 2021
- Veröffentlichung
- 10. Januar 2024
- Erteilung
- 10. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/408G11C11/4097G11C11/4091
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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