Programmierbare Speichereinheit und Programmierbares Speicherarray sowie Lese- und Schreibverfahren dafür
EP3933840
Art B1
31. Mai 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3933840
- Aktenzeichen
- EP20893598
- Anmeldetag
- 23. Juli 2020
- Veröffentlichung
- 31. Mai 2023
- Erteilung
- 31. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C17/16G11C17/18G11C29/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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