Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für Halbleiterbauelement
EP3933903
Art B1
27. Dezember 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3933903
- Aktenzeichen
- EP20913458
- Anmeldetag
- 17. September 2020
- Veröffentlichung
- 27. Dezember 2023
- Erteilung
- 27. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/522H01L23/528
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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