Dram-Speicher
EP3937175
Art B1
7. Februar 2024
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3937175
- Aktenzeichen
- EP19946694
- Anmeldetag
- 24. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2024
- Erteilung
- 7. Februar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C5/02G11C5/06G11C11/409G11C11/407// G11C7/18G11C8/14G11C11/408G11C11/4097
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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