Verfahren zur Übertragung einer Nützlichen Schicht auf ein Trägersubstrat

EP3939076 Art A1 19. Januar 2022

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3939076
Aktenzeichen: EP20713728
Anmeldetag: 26. Februar 2020
Veröffentlichung: 19. Januar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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