Optoelektronische Halbleiterstruktur mit einer Injektionsschicht vom P-Typ auf Basis von Ingan

EP3939097 Art A1 19. Januar 2022

Anmelder: SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3939097
Aktenzeichen: EP20706729
Anmeldetag: 25. Februar 2020
Veröffentlichung: 19. Januar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L33/02H01L33/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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