Verfahren zur Herstellung eines Sic-Wafers
EP3940122
Art B1
3. Januar 2024
Anmelder: SENIC Inc., SKC Co., Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3940122
- Aktenzeichen
- EP21182272
- Anmeldetag
- 29. Juni 2021
- Veröffentlichung
- 3. Januar 2024
- Erteilung
- 3. Januar 2024
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B23/02C30B29/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- SENIC Inc.
SKC Co., Ltd. - Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SKC
SKC ist ein südkoreanischer Chemie- und Materialkonzern, Teil der SK-Gruppe, mit Schwerpunkt Kunststofffolien und Halbleitermaterialien. Der Patentbestand konzentriert sich auf Kunststoff- und Polymertechnik sowie Fertigungs- und Optiktechnik.
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