Leseverstärker und Ansteuerungsverfahren dafür und Speicher
EP3940701
Art B1
10. Mai 2023
Anmelder: Changxin Memory Technologies, Inc. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3940701
- Aktenzeichen
- EP19943043
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2019
- Veröffentlichung
- 10. Mai 2023
- Erteilung
- 10. Mai 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C7/06G11C5/14G11C7/12G11C7/08G11C7/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Changxin Memory Technologies, Inc.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Changxin Memory Technologies
Chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Hefei, spezialisiert auf DRAM-Speicherchips.
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