Halbleiterbauelement mit Komplementär Dotierten Regionen und Verfahren zur Herstellung

EP3940788 Art A1 19. Januar 2022

Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3940788
Aktenzeichen: EP20186280
Anmeldetag: 16. Juli 2020
Veröffentlichung: 19. Januar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L21/04H01L29/08H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies AG
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Infineon Technologies

Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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