Halbleiterwafer und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP3944288 Art A8 9. März 2022

Anmelder: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA, Kioxia Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3944288
Aktenzeichen
EP20773287
Anmeldetag
10. März 2020
Veröffentlichung
9. März 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/02H01L21/66C30B25/18// H01L21/67H01L21/306
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Kioxia Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

5.205 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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