Verfahren zur Herstellung einer Mikroelektronischen Vorrichtung

EP3944322 Art B1 22. Mai 2024

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3944322
Aktenzeichen: EP21186804
Anmeldetag: 20. Juli 2021
Veröffentlichung: 22. Mai 2024
Erteilung: 22. Mai 2024
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/13H01L21/84H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

The invention relates to a method for manufacturing a microelectronic device from a semiconductor-on-insulator substrate, said device comprising active components (23) formed in active areas of the substrate (10) separated by isolation trenches and which are delimited by first flanks (19B), said isolation trenches being filled, at least in part, with a first dielectric material, the method comprising: a step of chemically etching a passive section (21) of the first bottom of the isolation trenches intended to generate, at said section, a quadratic mean roughness of between 2 nm and 6 nm, a step of forming a passive component (27), covering the first dielectric material and directly above the passive section (21).

Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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